2.人为因素
（1）进线接在出线的端子上（2）变频器接错电源（3）没按要求接负载
3.常见原因：（1）过电流 ：一种是负载短路，另一种是控制电路处逻辑受干扰，导致上下桥臂元件直通。
（2）绝缘的损坏
（3）过电压 ：通常是线路杂散电感在极高的di/dt作用下产生的尖峰电压而造成，解决的办法就是设计高性能吸收回路，降低线路杂散电感。
（4）过热 ：IGBT不能完全导通，在有电流的情况下元件损耗增大，温度增加导致损坏。
（5）通讯误码率
a.通讯一段时间后，突然的错误信息导致IGBT误导通使IGBT爆炸
b.通讯板FPGA程序运行不稳定导致IGBT误导通使IGBT爆炸
4．其他原因
（1）电路中过流检测电路反应时间跟不上。
（2）IGBT短路保护是通过检测饱和压降，而留给执行机构的时间一般是10us（8倍过流）。在上电的时候容易烧预充电电阻和制动单元里的IGBT。
（3）工艺问题：铜排校着劲、螺丝拧不紧等。
（4）短时大电流：原因也有很多，比如死区没设置好、主电路过压、吸收电路未做好。
（5）驱动电源也是个应该特别注意的问题，该隔离加隔离、该滤波加滤波。
（6）电机冲击反馈电压过大导致IGBT爆炸。但对于充电时爆炸的情况发生的概率不是很大。
（7）电机启动时，输入测电压瞬间跌落，电容放电。输入测电压恢复后电容充电时的浪涌电流过大致使
永磁同步电机变频器IGBT爆炸
